Презентація до уроку фізики в 11 класі на тему "Електричний струм у напівпровідниках"

Про матеріал
Презентація призначена для використання в 11 класі до теми "Електричний струм у напівпровідниках". Можна використовувати з відео до змісту уроку. Детальніше з матеріалами та джерелами можна ознайомитися, перейшовши за посиланням https://prokopethtv.jimdo.com/%D0%BF%D0%BE%D1%81%D1%96%D0%B1%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8/
Зміст слайдів
Номер слайду 1

Електричний струм у напівпровідниках

Номер слайду 2

14 лютого 1946 року в Америці був запущений перший у світі програмований електронний комп'ютер ENIAC, який мав масу 30 тонн і складався з 18 тисяч електронних ламп. Чим зумовлені такі величезні розміри тогочасного комп'ютера? І чому сучасні комп'ютери та інші електронні гаджети мають такі мініатюрні розміри? Подумай !

Номер слайду 3

Напівпровідники посідають проміжне місце між провідниками і діелектриками. Порядок питомого опору матеріалів. Стрілками показано напрямок збільшення концентрації вільних заряджених частинок (напрямок збільшення провідності) Особливості провідності напівпровідників

Номер слайду 4

Залежність провідності напівпровідників від зовнішніх чинників: Питомий опір напівпровідників зазвичай зменшується з підвищенням температури. Питомий опір більшості напівпровідників зменшується зі збільшенням освітлення. Різко зменшити питомий опір напівпровідників може введення домішок. Графік залежності питомого опору напівпровідників від температури Особливості провідності напівпровідників

Номер слайду 5

Будова чистого (без домішок) напівпровідника. Схематичне зображення ковалентного зв'язку силіцію У кристалі кожен атом має валентні електрони для зв'язку з іншими електронами. Серед валентних електронів є електрони, кінетична енергія яких є достатньою, щоб покинути зв'язки і стати вільними (позначено жовтим кольором). Власна провідність напівпровідників

Номер слайду 6

Якщо напівпровідниковий кристал помістити в електричне поле, то вільні електрони рухатимуться до позитивного полюса джерела струму і в напівпровіднику виникне електричний струм. Провідність напівпровідників, зумовлену наявністю в них вільних електронів, називають електронною провідністю. Електронна провідність напівпровідників

Номер слайду 7

Коли електрон “залишає” валентний зв’язок, утворюється “порожнє” місце – дірка, якій приписують позитивний заряд. Вільні електрони “перестрибують” в дірки і дірка (позитивний заряд) переміщується в кристалі. Провідність напівпровідників, зумовлену переміщенням дірок, називають дірковою провідністю. Механізм діркової провідності напівпровідників Діркова провідність напівпровідників

Номер слайду 8

У чистому напівпровіднику електричний струм створює однакова кількість вільних електронів і дірок. Таку провідність називають власною провідністю напівпровідників. Провідність напівпровідників збільшується під час: Нагрівання; Опромінення світлом. Власна провідність напівпровідників

Номер слайду 9

На залежності провідності напівпровідників від температури ґрунтується дія термінострів. Термістори застосовують: для контролю та вимірювання температури, в колах захисту електричних пристроїв від перегріву. Термістори

Номер слайду 10

На залежності провідності напівпровідників від освітленності ґрунтується дія фоторезисторів. Фоторезистори застосовують: для вимірювання освітленості, у системах сигналізації та автоматики, дистанційного керування виробничими процесами, для сортування виробів, для запобігання нещасним випадкам і аваріям, автоматично зупиняючи роботу обладнання в разі порушення процесу. Фоторезистори

Номер слайду 11

При додаванні до чистого напівпровідника невеликої кількості певної домішки механізм його провідності змінюється. Домішкова провідність напівпровідників

Номер слайду 12

Домішкова провідність напівпровідників

Номер слайду 13

Оскільки за наявності домішок кількість носіїв струму збільшується (кожний атом домішки дає вільний електрон або дірку), провідність напівпровідників із домішками є набагато кращою, ніж провідність чистих напівпровідників. Домішкова провідність напівпровідників

Номер слайду 14

Електронно-дірковий перехід (p – n - перехід) – це ділянка контакту двох напівпровідників із різними типами провідності – дірковою (напівпровідники р-типу) та електронною (напівпровідники n-типу). У місці контакту двох напівпровідників різного типу провідності відбувається процес дифузії електронів і дірок. Під час дифузії деякі дірки рекомбінують з вільними електронами – відбуваються процеси відновлення зв`язків. p – n - перехід

Номер слайду 15

Наслідки утворення p-n-переходу: У прилеглих до місця контакту ділянках напівпровідників зменшується концентрація вільних носіїв заряду, тому опір ділянки біля місця контакту істотно збільшується. Прилегла до місця контакту n-ділянка набуває позитивного заряду; прилегла до місця контакту р-ділянка набуває негативного заряду. Навколо місця контакту формується подвійний запірний шар (p-n-перехід), ектричне поле якого перешкоджає подальшій дифузії електронів і дірок. p – n - перехід

Номер слайду 16

Отримання кристалів з p – n - перехід

Номер слайду 17

Напівпровідниковий пристрій, у внутрішній будові якого сформований один p-n-перехід, називають напівпровідниковим діодом. Напівпровідниковим діод складається з двох контактуючих напівпровідникових ділянок із ними типами провідності (електронною та дірковою). Основна властивість напівпровідникового діода – пропускати електричний струм переважено в одному напрямку. Напівпровідниковий діод

Номер слайду 18

Напівпровідниковий діод

Номер слайду 19

Напівпровідникові діоди використовують в радіоелектроніці, для випрямлення змінного струму. Вони мініатюрні, для їх роботи не витрачається енергія на нагрівання. ВАХ напівпровідникового діода

Номер слайду 20

1. Опрацювати 9. 2. Виконати вправу 9 пункт 3. 3. Творче завдання. Проаналізувати інформацію в мережі Інтернет про сучасне використання напівпровідникових діодів та зробити коротку доповідь (форма подання за вибором учня). Домашнє завдання

Номер слайду 21

Дякую за увагу!!!

ppt
До підручника
Фізика (академічний рівень, профільний рівень) 11 клас (Бар’яхтар В.Г., Божинова Ф.Я., Кирюхіна О.О., Кірюхін М.М.)
Додано
14 листопада
Переглядів
63
Оцінка розробки
Відгуки відсутні
Безкоштовний сертифікат
про публікацію авторської розробки
Щоб отримати, додайте розробку

Додати розробку