Електронні пристрої та мікроелектроніка Тести до теми 1.2. Оптичні явища в напівпровіднику

1. Поглинання світла в напівпровіднику, при якому в ньому відбувається

генерація електронно – діркових пар за рахунок переходу електронів із

валентної зони в зону провідності, називається:

А) фотоактивним поглинанням;

Б) поглинанням вільними носіями заряду;

В) екситонним поглинанням;

Г) поглинанням кристалічною решіткою.

2. Поглинання світла в напівпровіднику, пов'язане з переходами електронів

(дірок) в межах однієї зони, називається:

А) фотоактивним поглинанням;

Б) поглинанням вільними носіями заряду;

В) екситонним поглинанням;

Г) поглинанням кристалічною решіткою

3. Поглинання світла в напівпровіднику, пов'язане зі створенням або

розпадом системи електрон – дірка, називається:

А) фотоактивним поглинанням;

Б) поглинанням вільними носіями заряду;

В) екситонним поглинанням;

Г) поглинанням кристалічною решіткою.

4. Поглинання світла в напівпровіднику, зумовлене поглинанням енергії

світла коливаннями атомів решітки, називається:

А) фотоактивним поглинанням;

Б) поглинанням вільними носіями заряду;

В) екситонним поглинанням;

Г) поглинанням кристалічною решіткою.

5. Для фотоактивного поглинання світла енергія кванта світла (фотона)

повинна задовільняти умові:

А) hνкр < ΔW;

Б) hνкр > ΔW;

В) hνкр = ΔW;

Г) правильні відповіді Б і В

6. Поглинання світла, яке приводить до появи вільних носіїв заряду в

напівпровіднику, і, відповідно, до збільшення провідності, а отже, зменшення

внутрішнього опору напівпровідника, називається:

А) фоторезистивним ефектом;

Б) фотогальванічним ефектом;

В) електролюмінесценцією;

Г) усі відповіді правильні

7. При фоторезистивному ефекті зростання провідності напівпровідника

визначається за формулою:

А) Δσ = e ( μn Δni - μp Δpi);

Б) Δσ = e ( μn Δni + μp Δpi);

В) Δσ = e ( μn Δni ∙ μp Δpi);

Г) Δσ = e ( μn Δni : μp Δpi).

8. При довжинах хвиль, більших граничної, фотопровідність:

А) зменшується;

Б) збільшується;

В) не змінюється;

Г) вірної відповіді немає.

9. Спад фотопровідності в області малих довжин хвиль пояснюється:

А) значним збільшенням енергії кванта світла з ростом частоти;

Б) швидким збільшенням поглинання енергії з ростом частоти;

В) зменшенням глибини проникнення падаючої на напівпровідник

електромагнітної енергії;

Г) вірні відповіді Б і В.

10. Виникнення електрорушійної сили при освітленні електронно – діркового

переходу і ділянок напівпровідників, що примикають до нього, називається:

А) фоторезистивним ефектом;

Б) фотогальванічним ефектом;

В) електролюмінесценцією;

Г) усі відповіді правильні.

11. Фоторезистивний ефект застосовується в:

А) фоторезисторах;

Б) фотодіодах;

В) фототранзисторах;

Г) фототиристорах

12. Із збільшенням інтенсивності світла фото-е.р.с.:

А) зменшується;

Б) збільшується;

В) не змінюється;

Г) вірної відповіді немає

13. Максимальне значення, якого може досягнути фото-е.р.с.:

А) 0,1 В;

Б) 5 В;

В) 10 В;

Г) контактна різниця потенціалів.

14. Фотогальванічний ефект використовується у:

А) вентильних фотоелементах;

Б) фотодіодах;

В) фототранзисторах;

Г) усі відповіді правильні.

15. Сила струму, що виникає під дією фото-е.р.с., залежить від:

А) величини світлового потоку;

Б) технології виготовлення фотопроладу;

В) опору навантаження;

Г) вірні відповіді А і В.

16. Перетворення електричної енергії в енергію оптичного випромінювання в

напівпровіднику, називається:

А) фоторезистивним ефектом;

Б) фотогальванічним ефектом;

В) електролюмінесценцією;

Г) усі відповіді правильні.

17. Спонтанне випромінювання в напівпровідниках є:

А) багаточастотним;

Б) хаотичним;

В) не має строгої спрямованості;

Г) усі відповіді правильні.

18. Вимушене випромінювання в напівпровідниках є:

А) багаточастотним;

Б) хаотичним;

В) не має строгої спрямованості;

Г) когерентним

19. Робота світлодіода основана на:

А) вимушеному випромінюванні;

Б) спонтанному випромінюванні;

В) тепловому випромінюванні;

Г) усі відповіді правильні.

20. Робота напівпровідникового лазера основана на:

А) вимушеному випромінюванні;

Б) спонтанному випромінюванні;

В) тепловому випромінюванні;

Г) усі відповіді правильні.