Семестрова

1. галузь науки і техніки, що вивчає фізичні явища в напівпровідникових елементах, електричні характеристики та параметри напівпровідникових приладів

2. сукупність пристроїв, що генерують, передають, перетворюють та споживають електричну енергію

3. етап комплексної механізації, що характеризується звільненням людини від безпосереднього виконання функцій управління технологічними процесами і передачею цих функцій автоматичним пристроям

4. процес здійснення сукупності впливів, спрямованих на підтримку керованого параметру відповідно до заданого алгоритму функціонування

електрично заряджена частинка,яка має: масу, радіус та від’ємний заряд

від’ємна електрична частинка

позитивна електрична частинка

нейтральна електрична частинка, яка має масу та радіус

пасивний елемент електричного кола, призначений для використання його електричного опору

напівпровідниковий резистор, в якому використовується залежність електричного опору від механічної деформації

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого нелінійно залежить від прикладеної електричної напруги

напівпровідниковий резистор, активний електричний опір якого залежить від температури

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого нелінійно залежить від прикладеної електричної напруги

напівпровідниковий резистор, в якому використовується залежність електричного опору від механічної деформації

напівпровідниковий резистор, активний електричний опір якого залежить від температури

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого залежить від освітленості

система з двох чи більше електродів, обкладок, які розділені діелектриком

пасивний елемент електричного кола, призначений для використання його електричного опору

напівпровідниковий елемент, який випрямляє струм

електрична ємність якого може змінюватися механічним способом, або електрично, під дією зміни напруги,температури

електронний прилад з двома електродами, що пропускає електричний струм лише в одному напрямі

пристрій, що складається з кристала напівпровідника, який має зазвичай один p-n перехід і має два виводи

напівпровідниковий діод, який призначений для перетворення змінного струму в постійний

універсальний діод, який може бути детекторним

напівпровідниковий діод, в якому використо­вується залежність ємності від величини зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент з електрично керованою ємністю  

напівпровідниковий пристрій,що випромінює некогерентне світло, при пропусканні через нього електричного струму

напівпровідниковий діод на основі напів­провідника з критичною концентрацією домішок, в якому провідність за зворотної напруги внаслідок тунельного ефекту значно більша, ніж за прямої

напівпровідниковий діод на основі виродженого напівпровідника, в якому тунельний ефект призводить до появи на вольт-амперній характеристиці при прямій напрузі ділянки з від'ємним диференційним опором

пасивний елемент електричного кола, призначений для використання його електричного опору

статичний електромагнітний пристрій, що має дві або більше індуктивно зв'язані обмотки і призначений для перетворення за допомогою електромагнітної індукції однієї або кількох систем (напруг) змінного струму в одну

напівпровідниковий діод, який призначений для перетворення змінного струму в постійний

електронний прилад з двома електродами, що пропускає електричний струм лише в одному напрямі

напівпровідниковий діод, зазвичай виготовляється з кремнію, робота якого заснована на оборотному лавинному пробої p-n переходу при зворотному включенні

напівпровідниковий діод, в якому використо­вується залежність ємності від величини зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент з електрично керованою ємністю

фотогальванічний приймач випромінювання, світлочутливийелемент якого являє собою структуру напівпровідникового діода без внутрішнього підсилення

напівпровідниковий пристрій,що випромінює некогерентне світло, при пропусканні через нього електричного струму

напівпровідникові прилади, візуальний показ контрольованого параметра, реєстрація його значення на різних носіях, вироблення сигналу поточного значення для системи регулювання

напівпровідникові прилади, вольт-амперна характеристика яких має ділянку з від'ємним диференційним опором і які використовують для перемикання.

технічні засоби, що використовуються при вимірюваннях і мають нормовані метрологічні властивості

напівпровідникові прилади, які призначені для відтворення фізичної величини заданого розміру

напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає крізь нього, за допомогою зміни вхідної напруги або струму, поданих на базу, або інший електрод.

напівпровідниковий діод на основі виродженого напівпровідника, в якому тунельний ефект призводить до появи на вольт-амперній характеристиці при прямій напрузі ділянки з від'ємним диференційним опором

напівпровідниковий діод на основі напів­провідника з критичною концентрацією домішок, в якому провідність за зворотної напруги внаслідок тунельного ефекту значно більша, ніж за прямої

напівпровідниковий діод, зворотній струм якого залежить від освітленості

напівпровідниковий діод на основі виродженого напівпровідника, в якому тунельний ефект призводить до появи на вольт-амперній характеристиці при прямій напрузі ділянки з від'ємним диференційним опором

напівпровідниковий діод на основі напів­провідника з критичною концентрацією домішок, в якому провідність за зворотної напруги внаслідок тунельного ефекту значно більша, ніж за прямої

напівпровідниковий діод, який призначений для перетворення змінного струму в постійний

електронний прилад з двома електродами, що пропускає електричний струм лише в одному напрямі

електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з трьома або більше р-n-переходами, що має два стійки стани, і вольт-амперна характеристика якого має ділянку з від'ємним диференційним опором

керований напівпро­відниковий прилад, який має однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги і який проводить струм в обох напрямках

напівпро­відниковий прилад, що складається з чотирьох областей з провідностями p- і n-типу, які послідовно чергуються і має два зовнішніх виводи: анод і катод

напівпровідниковий прилад з одним p- n переходом, двома виводами: анод і катод, що пропускає електричний струм лише в одному напрямі

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого нелінійно залежить від прикладеної електричної напруги

напівпровідниковий резистор, в якому використовується залежність електричного опору від механічної деформації

напівпровідниковий резистор, активний електричний опір якого залежить від температури

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого залежить від освітленості

різновид терморезистора, опір якого змінюється від температури

різновид змінного резистора, що зазвичай не має продовгувастого осердя для можливості встановлення ручки задля здійснення безпосереднього регулювання вручну, а замість того обов'язково має шліц під викрутку

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого залежить від освітленості

різновид резистора, опір якого залежить від напруги

речовина, яка добре проводить електричний струм

явище виходу електронів за межі її речовини

здатність створити електричний струм під дією електричного поля

речовина, яка практично не проводить електричний струм

напівпровідниковий прилад на основі виродженого напівпровідника, в якому тунельний ефект призводить до появи на вольт-амперній характеристиці при прямій напрузі ділянки з від'ємним диференційним опором

напівпровідниковий прилад, в якому використо­вується залежність  ємності від величини зворотної напруги і який призначений для застосування як елемент з електрично керованою ємністю

керований напівпро­відниковий прилад, який має однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги і який проводить струм в обох напрямках

фотогальванічний приймач випромінювання, світлочутливийелемент якого являє собою структуру напівпровідникового діода без внутрішнього підсилення

керований напівпровідниковий прилад, що має три зовнішні виводи анод, катод та керуючий електрод

напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає крізь нього, за допомогою зміни вхідної напруги або струму, поданих на базу, або інший електрод

напівпровідниковий прилад, що складається з трьох областей провідності, які утворюють два p- n переходи, і призначений для посилення потужності

керований напівпро­відниковий прилад, який має однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги і який проводить струм в обох напрямках

керований напівпровідниковий прилад, що має три зовнішні виводи анод, катод та керуючий електрод

електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з трьома або більше р-n-переходами, що має два стійки стани, і вольт-амперна характеристика якого має ділянку з від'ємним диференційним опором

напівпро­відниковий прилад, що складається з чотирьох областей з провідностями p- і n-типу, які послідовно чергуються і має два зовнішніх виводи: анод і катод

керований напівпро­відниковий прилад, який має однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги і який проводить струм в обох напрямках

напівпровідниковий резистор, в якому використовується залежність електричного опору від механічної деформації

резистор, у якому питомий опір змінюється залежно від значення, прикладеної напруги або протікаючого струму.

напівпровідниковий резистор, активний електричний опір якого залежить від температури

напівпровідниковий резистор, електричний опір якого нелінійно залежить від прикладеної електричної напруги

електроперетворювальний прилал, в якому струм, що протікає через канал, керується електричним полем,яке виникає при прикладені напруги між затвором і витоком, і який призначений для підсилення потужності електромагнітних коливань

напівпровідниковий прилад з двома електронно-дірковими переходами, що перетворює світловий потік в електричний струм і який володіє властивостями посилення

напівпровідниковий прилад, що складається з трьох областей провідності, які утворюють два p- n переходи, і призначений для посилення потужності

керований напівпро­відниковий прилад, який має однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги і який проводить струм в обох напрямках  

електрони відштовхуються одне від одного,електрони, які рухаються утворюють електричний струм; знаходячись в русі, електрон має кінетичну енергію.

створює електричний струм під дією електричного поля.

залишкова енергія виробляється в результаті нагріву катода або під впливом високої температури

на поверхню катода діє електромагнітне випромінювання або під впливом інтенсивного випромінювання

напівпровідниковий прилад, що складається з трьох областей провідності, які утворюють два p- n переходи, і призначений для посилення потужності

інтегральна мікросхема, пасивні елементи якої виконані за допомогою нанесення різних плівок на поверхні діелектричної підкладки зі скла, а активні елементи – навісні напівпровідникові прилади без корпусів

мікроелектронний вибір, що виконує певну функцію перетворення та обробки сигналу і має неменше п’яти елементів, які неподільно зв’язані і електрично з’єднані між собою так, що пристрій розглядається як одне ціле

інтегральна мікросхема, всі елементи і між елементні з’єднання якої виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника

термоелектронна, фотоелектронна, вторинно електронна,електростатична

термоелектронна, електро магнітна, електро сонячна

фотоелектронна, статична, фото сприймаюча

електростатична, тензо електронна, електро вітрова

мікроелектронний вибір для перетворення або обробки аналогових   сигналів

інтегральна мікросхема, пасивні елементи якої виконані за допомогою нанесення різних плівок на поверхні діелектричної підкладки зі скла, а активні елементи – навісні напівпровідникові прилади без корпусів

мікроелектронний вибір, що виконує певну функцію перетворення та обробки сигналу і має неменше п’яти елементів, які неподільно зв’язані і електрично з’єднані між собою так, що пристрій розглядається як одне ціле

інтегральна мікросхема, всі елементи і між елементні з’єднання якої виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника