Електронні пристрої та мікроелектроніка / Тести до теми 1.1. Контактні явища

1. Атом складається з:

А) протонів, нейтронів та дірок;

Б) протонів, нейтронів та електронів;

В) протонів, електронів та дірок;

Г) електронів, нейтронів та дірок.

2. Ядро атома складається з:

А) електронів та нейтронів;

Б) електронів, протонів та нейтронів;

В) протонів та електронів;

Г) протонів та нейтронів

3. Навколо ядра атома по певних орбітах рухаються:

А) протони;

Б) нейтрони;

В) дірки;

Г) електрони.

4. Електрони, розташовані на зовнішніх орбітах атомів, називаються:

А) вільними електронами;

Б) валентними електронами;

В) збудженими електронами;

Г) немає вірної відповіді.

5. Електрони, що звільнилися від внутрішньоатомних зв’язків, одержали

назву:

А) вільні електрони;

Б) валентні електрони;

В) збуджені електрони;

Г) всі відповіді вірні

6. Як поділяють тверді тіла в залежності від електричного опору:

А) германієві та кремнієві;

Б) тверде тіло, рідина, газ;

В) електронні та діркові;

Г) провідники, діелектрики та напівпровідники

7. Питома електропровідність напівпровідників лежить в межах:

А) менше 10-10 См/см;

Б) 10-10…104 См/см;

В) 104…106 См/см;

Г) більше 106 См/см.

8.Які основні енергетичні зони твердого тіла ви знаєте:

А) валентна, заборонена, провідності;

Б) вільна, заборонена, валентна;

В) валентна, вільна, провідності;

Г) вільна, заборонена, провідності

9. У якому твердому тілі валентна зона та зона провідності перекривають

одна одну:

А) у напівпровіднику;

Б) у плазмі;

В) у металі;

Г) у діелектрику.

10. У якому твердому тілі заборонена зона велика:

А) у напівпровіднику;

Б) у провіднику;

В) у металі;

Г) у діелектрику.

11. Ширина забороненої зони напівпровідників становить:

А) менше 3 еВ;

Б) від 3 до 8 еВ;

В) від 8 до 10 еВ;

Г) більше 10 еВ.

12. Електропровідність, обумовлена переміщенням вільних електронів,

називається:

А) електронною провідністю;

Б) дірковою провідністю;

В) електронно-дірковою;

Г) іонною провідністю.

13. Провідність, що виникає внаслідок переміщення дірок, називається:

А) електронною провідністю;

Б) дірковою провідністю;

В) електронно-дірковою;

Г) іонною провідністю.

14. Процес, під час якого вільні електрони заповнюють дірки, утворюючи

нормальні ковалентні зв'язки називається:

А) генерацією;

Б) екстракцією;

В) рекомбінацією;

Г) іонізацією.

15. З підвищенням температури кількість вільних електронів і дірок:

А) значно зменшується;

Б) значно збільшується;

В) не змінюється;

Г) дорівнює нулю;

16. Власна провідність напівпровідника – це:

А) електропровідність напівпровідника за відсутності в ньому домішок;

Б) електропровідність напівпровідника за наявності в ньому малої

кількості домішок;

В) електропровідність напівпровідника за наявності в ньому великої

кількості домішок;

Г) електропровідність напівпровідника за наявності в ньому середньої

кількості домішок

7. Напівпровідник з дірковою провідністю називають:

А) напівпровідник n-типу;

Б) р-n- перехід;

В) хімічно чистий напівпровідник;

Г) напівпровідник р-типу.

18. Напівпровідник з електронною провідністю називають:

А) напівпровідник n-типу;

Б) р-n- перехід;

В) хімічно чистий напівпровідник;

Г) напівпровідник р- типу.

19. Електричні контакти поділяють на:

А) твердотільні та рідинні;

Б) електронні та діркові;

В) електронні та іонні;

Г) омічні, інжектуючі та нелінійні.

20. Омічні контакти – це контакти що:

А) мають різко нелінійну вольт-амперную характеристику, мають здатність

пропускати носії зарядів тільки в одну сторону;

Б) мають дуже малий перехідний опір, не спотворюють форму переданого

сигналу, не створюють шумів, мають лінійну вольт-амперну

характеристику;

В) мають здатність направляти носії зарядів тільки в одну сторону;

Г) контакти, які можуть мати різну форму ВАХ

21. Нелінійні контакти – це контакти що:

А) мають різко нелінійну вольтамперную характеристику, мають здатність

пропускати носії зарядів тільки в одну сторону;

Б) мають дуже малий перехідний опір, не спотворюють форму переданого

сигналу, не створюють шумів, мають лінійну вольт-амперну

характеристику;

В) мають здатність направляти носії зарядів тільки в одну сторону;

Г) контакти, які можуть мати різної форми ВАХ

22. Інжектуючі контакти – це контакти що:

А) мають різко нелінійну вольтамперную характеристику, мають здатність

пропускати носії зарядів тільки в одну сторону;

Б) контакти повинні мати дуже малий перехідний опір, не спотворювати

форму переданого сигналу, не створювати шумів, мати лінійну

вольтамперну характеристику;

В) мають здатність направляти носії зарядів тільки в одну сторону;

Г) контакти, які можуть мати різної форми ВАХ.

23. Електронно-дірковий перехід може утворитися методом:

А) склеюванням;

Б) дифузією, епітаксією та вплавленням;

В) механічним з’єднанням;

Г) зварюванням.

24. Потенціальний бар’єр р-n-переходу це:

А) зовнішнє електричне поле напівпровідника;

Б) електричне поле на ділянці р-n переходу;

В) місце з'єднання двох різних напівпровідників;

Г) усі відповіді вірні.