Електронні пристрої та мікроелектроніка Тести до теми 1.1. Контактні явища продовження

25. Дифузійний струм – це:

А) хаотичний рух носіїв заряду, при якому вони переходять із області, де їх

більше у область, де їх менше;

Б) електричний струм, зумовлений рухом носіїв електричного заряду під

дією електричного поля;

В) прямий струм р-n переходу;

Г) зворотній струм р-n переходу

26. Дрейфовий струм – це:

А) хаотичний рух носіїв заряду, при якому вони переходять із області, де їх

більше у область, де їх менше;

Б) електричний струм, зумовлений рухом носіїв електричного заряду під

дією електричного поля;

В) прямий струм р-n- переходу;

Г) зворотній струм р-n -переходу.

27. Пряме підключення р-n переходу виникає коли:

А) область n-типу приєднують до негативного полюсу джерела живлення, а

область р-типу - до позитивного;

Б) область р-типу приєднують до негативного полюсу джерела живлення, а

область n-типу - до позитивного;

В) область n-типу та область р-типу приєднують до негативного полюсу

джерела живлення;

Г) область n-типу та область р-типу приєднують до позитивного полюсу

джерела живлення.

28. Зворотнє підключення р-n-переходу виникає коли:

А) область n-типу приєднують до негативного полюсу джерела живлення, а

область р-типу - до позитивного;

Б) область р-типу приєднують до негативного полюсу джерела живлення, а

область n-типу - до позитивного;

В) область n-типу та область р-типу приєднують до негативного полюсу

джерела живлення;

Г) область n-типу та область р-типу приєднують до позитивного полюсу

джерела живлення

29. При прямому включенні р-n-переходу зовнішнє електричне поле по

відношенню до внутрішнього електричного поля направлене:

А) в одному напрямку;

Б) в протилежному напрямку;

В) під кутом 45°;

Г) перпендикулярно.

30. При зворотньому включенні р-n-переходу зовнішнє електричне поле

по відношенню до внутрішнього електричного поля направлене:

А) в одному напрямку;

Б) в протилежному напрямку;

В) під кутом 45°;

Г) перпендикулярно

31. При прямому влюченні р-n- переходу його опір:

А) дорівнює 0;

Б) дорівнює нескінченості;

В) великий;

Г) малий.

32. При зворотньому влюченні р-n- переходу його опір:

А) дорівнює 0

Б) дорівнює нескінченості;

В) великий;

Г) малий.

33. Лавинний пробій виникає:

А) у напівпровідникових приладах, що мають вузький перехід і мале

значення питомого опору, причому напруженість ектричного поля

повинна бути достатньо високою(більше 105 В/см);

Б) під дією ударної іонізації, яка виникає тоді, коли напруженість

електричного поля, викликана зворотньою напругою, достньо велика;

В) в результаті сильного розігрівання р-n-переходу, коли кількість тепла, що

виділяється внаслідок протікання струму в p-n-переході, більша кількості

тепла, що відводиться від нього;

Г) в місцях виходу р-n-переходу на поверхню НП, в яких створюється

додатковий електричний поверхневий заряд.

34. Тунельний пробій виникає:

А) у напівпровідникових приладах, що мають вузький перехід і мале

значення питомого опору, причому напруженість ектричного поля

повинна бути достатньо високою (більше 105 В/см);

Б) під дією ударної іонізації, яка виникає тоді, коли напруженість

електричного поля, викликана зворотньою напругою, достньо велика;

В) в результаті сильного розігрівання р-n-переходу, коли кількість тепла, що

виділяється внаслідок протікання струму в p-n-переході, більша кількості

тепла, що відводиться від нього;

Г) в місцях виходу р-n-переходу на поверхню НП, в яких створюється

додатковий електричний поверхневий заряд.

35.Тепловий пробій виникає:

А) у напівпровідникових приладах, що мають вузький перехід і мале

значення питомого опору, причому напруженість ектричного поля

повинна бути достатньо високою(більше 105 В/см);

Б) під дією ударної іонізації, яка виникає тоді, коли напруженість

електричного поля, викликана зворотньою напругою, достньо велика;

В) в результаті сильного розігрівання р-n-переходу, коли кількість тепла, що

виділяється внаслідок протікання струму в p-n-переході, більша кількості

тепла, що відводиться від нього;

Г) в місцях виходу р-n-переходу на поверхню НП, в яких створюється

додатковий електричний поверхневий заряд

36. Який із пробоїв являється незворотнім:

А) тунельний;

Б) лавинний;

В) тепловий;

Г) усі відповіді вірні

37. Для германієвих і кремнієвих р-n- переходів зворотній струм при

підвищенні температури на кожні 10 °С:

А) зростає в 2–2,5 рази;

Б) зростає в 3–5 разів;

В) зростає в 5–6 разів;

Г) не змінюється.

38. Для одержання тунельного ефекту використовується напівпровідни-

ковий матеріал:

А) без домішок;

Б) з малою концентрацією домішок;

В) з великою концентрацією домішок;

Г) з дуже великою концентрацією домішок.

39. Тунельний р-n-перехід пропускає струм:

А) тільки в прямому напрямку;

Б) тільки в зворотньому напрямку;

В) в обох напрямках;

Г) не пропускає струму в обох напрямках

40. Гетеропереходом називають перехід, утворений в результаті контакту

напівпровідників з:

А) з різними концентраціями домішок;

Б) з однаковими ширинами заборонених зон;

В) з різними ширинами заборонених зон;

Г) з різними структурами кристалічних решіток

41. При прямому включенні гетеропереходу основні носії зарядів

рухаються:

А) тільки в одну з областей р-n-переходу;

Б) в обидві області р-n-переходу;

В) не приймають участі в утворенні струму;

Г) участь в утворенні струму приймають тільки неосновні носії зарядів.

42. Напівпровідникові прилади, побудовані на основі гетеропереходів

мають час переключення:

А) менше 0,3 нс;

Б) 0,3…1 нс;

В) 1…5 нс;

Г) 5…10 нс.

43. Для отримання переходу Шоттки використовується контакт:

А) напівпровідник-напівпровідник;

Б) діелектрик-напівпровідник;

В) метал-напівпровідник;

Г) метал-діелектрик.

44. Переходи Шоттки працюють:

А) тільки на неосновних носіях зарядів;

Б) тільки на основних носіях зарядів;

В) на неосновних та основних носіях зарядів;

Г) тільки на іонах.

45. Переходи Шоттки в порівнянні з традиційними р-n-переходами

працюють:

А) при однаковій прямій напрузі;

Б) при значно меншій прямій напрузі;

В) при значно більшій прямій напрузі;

Г) тільки при зворотній напрузі.