Тема: Дослідження біполярного транзистора.
Мета: Дослідити залежність сили струму колектора від напруги між колектором та емітером, визначити коефіцієнт підсилення за струмом.
Обладнання: Комп’ютер архітектури ІВМ, Програма Work Bench Multisim 12.
Транзистор – напівпровідниковий тріод – складається з кристала з двома p-n переходами. Розрізняють транзистори p-n-p (прямої провідності) та n-p-n (зворотної провідності). Середня частина транзистора називається базою. Прилеглі до бази з обох сторін області з іншим типом провідності називають емітером (зі стрілкою) та колектором. На межі цих двох областей є два електронно-діркові переходи. Перехід «емітер-база» називається емітерним, а «база-колектор» – колекторним. Кожен перехід окремо поводиться як звичайний напівпровідниковий діод, тобто має однобічну провідність електричного струму.
n-p-n транзистор p-n-p транзистор
Рис. 1 Типи біполярних транзисторів
При включенні транзистора за схемою із спільним емітером розглядають коефіцієнт підсилення за постійним струмом, який визначається як відношення зміни сили струму колектора до зміни сили струму бази при постійній напрузі на колекторі:
Iê
Iá
при Uê
const .
Рис.2 Схема увімкнення транзистора із спільним емітером
Для розрахунку схем, що працюють на транзисторах, часто користуються вольт- амперною колекторною статичною характеристикою, яка визначає залежність струму
колектора I ê
від напруги на колекторі Uê
при певних значеннях струму бази
I á .
Рис. 1. Схема дослідної установки
через
кожні 0,2 – 0,4 В колекторної напруги (до 5-6 В). При цьому за допомогою потенціометра R1 підтримують струм бази 50 мкА.
Таблиця 1
I á 50 мкА |
Uê , В |
|
|
|
|
|
|
|
I ê , мА |
|
|
|
|
|
|
|
Таблиця 2
I á 100 мкА |
Uê , В |
|
|
|
|
|
|
|
I ê , мА |
|
|
|
|
|
|
|
певній напрузі (наприклад Uê = 3 В):
Iê
I
á
Звіт має містити:
Контрольні запитання
1.Біполярний транзистор можна умовно вважати сукупністю двох діодів. Чи можна з двох окремих діодів скласти транзистор?
2.Заміною яких електронних пристроїв стали транзистори?