ЕМІНЕ

між двома напівпровідниками однакової хімічної природи і однаковою електропровідністю, але з різними рівнями легування

між двома напівпровідниками однакової хімічної природи , але з різними типами провідності областей, що контактують

між металом і напівпровідником

між двома напівпровідниками різної хімічної природи і з різними типами провідності областей, що контактують.

Германій.

Кремній.

Антимонід галію.

Дифузійна ємність

Дифузійна дорівнює бар’єрній

Бар’єрна

яке сприяє руху основних носіїв до pn-переходу;

«+» зовнішнього джерела до n-області, «-» до p-області;

«+» зовнішнього джерела до p-області, «-» до n-області;

яке зменшує стрибок потенціалу на pn-переході.

заторним шаром

запираючим шаром

розпираючим шаром

розширюючим шаром

обидва переходи під зворотним зміщенням

обидва переходи під прямим зміщенням

емітерний – в прямому, колекторний – в зворотному;

емітерний – в зворотному, колекторний – в прямому;

z - типу.

n - типу.

p – типу.

з керуючим pn-переходом, з ізольованим затвором.

з ізольованим затвором, з колекторним переходом

 з керуючим pn-переходом, з регульованим pn-переходом

з витоковим pn-переходом, емітерним pn-переходом

1-г, 2-в, 3-б, 4-а

1- в, 2-а, 3-г, 4-б

1-б, 3-в, 4-г, 1-а

2-б, 1-в, 4-г, 3-а

пристрій з трьома не випрямляючими переходами та двома виводами.

напівпровідниковий пристрій з одним випрямляючим електричним переходом і двома зовнішніми виводами

напівпровідниковий пристрій з двома випрямляючими електричними переходами і двома зовнішніми виводами