Підготовка до ZIM

a) nižšie náklady na prevádzku

b) vyššia pracovná teplota

c) možnosť dosiahnutia hypervodivosti aj pôsobením tlaku

a) energia najvyššej hladiny, na ktorej sa nachádza atóm 

b) energia najvyššej hladiny, na ktorej sa nachádza elektrón pri nulovej absolútnej teplote.

c) energia najvyššej hladiny, na ktorej sa nachádza elektrón pri izbovej teplote. 

a) s rastúcim obsahom nečistôt rastie

b) s rastúcim obsahom nečistôt klesá

c) nezávisí od koncentrácie prímesí

a) chemicky najreaktívnejšie

b) minimálne reaktívne 

c) chemicky inertné

a) pokles vodivosti s rastom teploty.

b) vzrast vodivosti s rastom teploty. 

c) rast vodivosti po istú hodnotu teploty potom je vodivosť záporná. 

a) že ich energetické hladiny sa štiepia a vytvárajú energetické pásma.

b) že ich energetické hladiny sa štiepia a vytvárajú tým bodové poruchy.

c) že ich energetické hladiny sa neštiepia a tým zabraňujú prechodu medzi orbitálmi.

a) pohybom protónov

b) pohybom atómov.

c) pohybom elektrónov.

a) elektróny získajú časť energie jadra atómu.

b) elektróny pokračujú vo svojom pohybe bez zmeny energie.

c) elektróny odovzdávajú časť svojej energie, čím sa zvyšujú tepelné kmity mriežky

a) zakázané.

b) valenčné.

c) vnútorné.

a) rapídny pokles rezistivity niektorých kovov, zliatin a keramík pri podkritickej teplote

b) rapídny pokles korózivity niektorých kovov, zliatin a keramík pri teplote blízkej k absolútnej nule

c) rapídny pokles konduktivity niektorých kovov, zliatin a keramík pri teplote blízkej k absolútnej nule

a) zlato a striebro

b) kyslík a platina

c) železo a kremík

a) viesť elektrické napätie

b) znižuje elektrický odpor

c) viesť elektrický prúd

a) supravodivosť

b) konduktivita 

c) hypervodivosť

a) hladinami zakázaných energií.

b) vodivostnými hladinami.

c) valenčnými hladinami.

a) elektrickú vodivosť kovov na základe existencie voľne pohyblivých atómov

b) elektrickú vodivosť kovov na základe existencie voľne pohyblivých elektrónov

c) elektrickú vodivosť kovov na základe existencie voľne pohyblivých fotónov

a) intenzita magnetického poľa je nižšia ako kritická intenzita Hk

b) intenzita (resp. indukcia) magnetického poľa je vyššia ako kritická intenzita Hk

c) intenzita magnetického poľa je rôzna od kritickej intenzity Hk

a) zachovaniu koncentrácie nosičov náboja od prímesí

b) poklesu rezistivity (merneho elektrického odporu)

c) nárastu rezistivity (merneho elektrického odporu)

a) rastie

b) nemení sa

c) klesá

a) dochádza k pozorovateľným chemickým zmenám

b) nedochádza k žiadnym pozorovateľným chemickým zmenám

c) spravidla dochádza k posuvu mriežkových rovín materiálu.

a) zužuje

b) nemení

c) rozširuje.

a) P(W) = 1

b) P(W) = 0

c) P(W) = 0,5 

a) je neúplne obsadené

b) je prázdne

c) je plne obsadené

a) súčin zvyškovej rezistivity danej koncentráciou prímesí a rezistivity závislej na teplote

b) podiel zvyškovej rezistivity danej koncentráciou prímesí a rezistivity závislej na teplote

c) súčet rezistivity danej koncentráciou prímesí a rezistivity závislej na teplote

a) kritická prúdová plocha

b) kritický prúdový objem

c) kritická prúdová hustota

a) predpokladu, že voľný elektrón ľubovoľnej pohybovej energie je riadený zákonmi vlnovej mechaniky.

b) existencie voľných pohyblivých elektrónov, ktoré sa pohybujú usmernene pri pôsobení vonkajšieho elektrického poľa.

c) existencie fotónov, ktoré spôsobia vznik elektrického prúdu, ak dôjde k zmene polarizácie vonkajšieho elektrického poľa.

a) s rastúcim obsahom nečistôt rastie

b) ostáva konštantná

c) s rastúcim obsahom nečistôt klesá

a) nemá vplyv na vodivosť materiálu

b) určuje typ vodivosti materiálu

c) je vymedzená termodynamickou rovnováhou

a) cínu

b) medi

c) ortuti

a) mení svoju kryštalickú štruktúru

b) zvýši svoj odpor dvojrádovo

c) skokovo stráca elektrický odpor o niekoľko rádov

a) elektróny odovzdávajú časť svojej energie, čím sa zvyšujú tepelné kmity mriežky

b) elektróny pokračujú vo svojom pohybe bez zmeny energie

c) elektróny získajú časť energie, čo spôsobí nárast prúdu

a) je konštantná pre všetky materiály pri izbovej teplote

b) prejavuje sa iba v stave energetickej rovnováhy

c) je závislá od štruktúry materiálu

a) hysterézne (magnetizačné) straty, straty vírivými prúdmi a zvyškové straty

b) ohmické straty, Jouleove straty a kapacitné straty

c) impulzné straty, indukčné straty a ohmické straty

a) supravodivá teplota

b) prechodová teplota

c) kritická teplota

a) izolantoch

b) vodičoch

c) polovodičoch

a) Meissnerov jav

b) supravodivosť

c) Coopererov jav

a) predstavuje súbor energetických pásiem elektrónov uvoľnených z chemických väzieb

b) súbor energetických pásiem elektrónov charakterizujúci vodiče

c) súbor energetických pásiem atómov v tuhom stave

a) hliník, berýlium

b) hliník, striebro

c) platinové kovy

a) ostáva rovnaká

b) klesá

c) stúpa

a) podkritická teplota

b) podmienka geometrických rozmerov supravodiča

c) podkritická intenzita magnetického poľa

a) pri konštrukcii motorov s vysokou účinnosťou

b) v mikrovlnnej technike

c) v telekomunikačnej technike

a) širokou hysteréznou slučkou, malou hodnotou maximálnej magnetickej indukcie a veľkou koercitivitou

b) úzkou hysteréznou slučkou, veľkou hodnotou maximálnej magnetickej indukcie a malou koercitivitou

c) širokou hysteréznou slučkou a malou hodnotou maximálnej magnetickej indukcie

a) určitá časť kryštalitov sa orientuje rovnobežne do smeru plastickej deformácie

b) dochádza k zmene geometrických rozmerov telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa

c) magnetovateľnosť je závislá na kryštalografickom smere

a) pohybu doménových stien a natáčania vektorov magnetizácie domén e

b) natáčania polárnych dielektrík a ich orientácie proti smeru pôsobenia elektrickej indukci

c) vytvorenia elektrostatického poľa a pohybu kladných dier

a) pre magnetické zámky, magnetické gumené tesnenia, membrány reproduktorov

b) pri konštrukcii slúchadiel, mikrofónov, krokových motorčekov analógových hodiniek

c) pre jadrá vysokofrekvenčných cievok a transformátorov

a) charakteristika feromagnetika pri jeho stacionárnom magnetovaní z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia

b) charakteristika dielektrika pri jeho stacionárnom magnetovaní z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia

c) charakteristika paramagnetika pri jeho stacionárnom magnetovaní z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia

a) Prechodové charakteristiky

b) Fázové prechody

c) Magnetizačné krivky

a) prúdu - I na napätí – V

b) magnetickej indukcie - B od frekvencie – f

c) magnetickej indukcie - B od magnetickej intenzity - H

a) Weissovou stenou

b) Curieho stenou

c) Blochovou stenou

a) zaostávanie zmien elektrickej indukcie za zmenami intenzity magnetického poľa

b) zaostávanie zmien magnetizácie, resp. magnetickej indukcie za zmenami intenzity magnetického poľa

c) zaostávanie zmien elektrickej indukcie za zmenami intenzity elektrického poľa 

a) elektrickej inzenzity a rezistivity

b) elektrickej kapacity a hustoty materiálu

c) intenzity magnetického poľa a teploty

a) od napätia, frekvencie, relatívnej permitivity a elektrickej vodivosti

b) od druhej mocniny napätia, relatívnej permitivity a činiteľa dielektrických strát

c) od druhej mocniny napätia, od frekvencie, relatívnej permitivity a činiteľa dielektrických strát

a) klesá

b) nemení sa

c) stúpa

a) spontánna

b) migračná

c) Iónová

a) činnými stratami reálneho izolantu

b) zvyškovou vodivosťou

c) dielekrickými stratami

a) najvyššie obsadené pásmo pri nulovej absolútnej teplote

b) pásmo, v ktorom sa nemôžu elektróny vyskytovať

c) pásmo, v ktorom sa elektróny vyskytujú, ak absorbujú dostatok energie

a) chróm, vanád a ich oxidy

b) meď, hliník a ich zliatiny

c) železo, kobalt, nikel a ich zliatiny

a) kvapalné izolanty

b) plynné izolanty

c) viacvrstvové izolanty

a) lineárne rastúca

b) charakterizovaná troma rozdielnymi oblasťami

c) nemenná

a) všetky dielektriká

b) feromagnetiká

c) feroelektriká

a) sa vyznačujú kombináciou magnetických vlastností a veľkého elektrického odporu

b) sú tvorené feromagnetickou alebo ferimagnetickou látkou s nosným médiom (roztoky prírodných alebo syntetických živíc)

c) sa vyznačujú širokou hysteréznou slučkou, zvyčajne sú mechanicky tvrdé

a) < 3 eV

b) > 0,7 eV

c) > 3 eV

a) počtu nosičov nábojov, náboju a pohyblivosti nábojov

b) počtu nosičov nábojov a náboju

c) počtu nosičov nábojov a intenzite elektrického poľa

a) paramagnetikom

b) ferimagnetikom

c) diamagnetikom

a) od stupňa čistoty izolačnej kvapaliny

b) od termickej aktivácie iónov izolačnej kvapaliny

c) od koncentrácie dipólových koloidných častíc

a) 10 000

b) 100

c) ~1

a) veľkú elektrickú pevnosť

b) malú elektrickú pevnosť

c) veľkú elektrickú vodivosť

a) indukcia nasýtenia Bs

b) relatívna permeabilita µr

c) koercivita Hc

a) nízke a nezávislé od teploty a magnetického poľa

b) nezávislé od teploty a magnetického poľa

c) vysoké, silne závisle od teploty a intenzity magnetického poľa

a) veľmi veľký v porovnaní s momentom elektrónov

b) porovnateľný s momentom elektrónov

c) veľmi malý v porovnaní s momentom elektrónov

a) vodivostné, polarizačné, ionizačné

b) termické, materiálové, rezonančné

c) izolačné, väzbové, prudové

a) nezmáčavý

b) zmáčavý

c) nezáleží na zmáčavosti

a) znížiť vlastnú magnetickú energiu

b) zvýšiť vlastnú magnetickú energiu

c) zachovať si vlastnú magnetickú energiu bez zmeny

a) relatívna permitivita

b) elektrická pevnosť

c) elektrická vodivosť

a) lineárne rastúca závislosť

b) nie je závislosť

c) nelineárne rastúca závislosť

a) medzivrstvová (migračná)

b) spontánna (samovoľná)

c) rezonančná

a) vznik priečneho rozdielu teplôt vo vzorke polovodiča, ak ňou prechádza elektrický prúd a súčasne sa nachádza v magnetickom poli

b) vznik priečneho rozdielu teplôt vo vzorke polovodiča, ak ňou prechádza magnetické pole

c) vznik napätia vo vzorke polovodiča, ak ňou prechádza magnetické pole

a) liatinové magnety

b) neodýmiové magnety (NdFeB)

c) technicky čisté železo, ocele

a) na izoláciu vodivých telies

b) ako dielektriká

c) na tienenie elektromagnetického poľa

a) oslabuje

b) neovplyvňuje

c) zosilňuje

a) elektrónovú a dipólovú

b) dipólovú a iónovú

c) elektrónovú a iónovú

a) vplyvom jednosmerného elektrického poľa v polárnych dielektrikách

b) vplyvom jednosmerného elektrického poľa v nepolárnych dielektrikách

c) len vplyvom striedavého elektrického poľa v polárnych dielektrikách

a) oxidy MnO a NiO

b) zliatina AlNiCo a zliatina FeCrCo

c) ocele a zliatiny FeCo

a) rotáciou elektrónov okolo ich osí

b) neúplne obsadenými vnútornými orbitálmi

c) rotáciou elektrónov okolo jadra

a) vlastnosť vytvárať elektronické prvky s vysokou pohyblivosťou nosičov náboja v porovnaní s inými polovodičmi

b) odolnosť voči tvorbe oxidu SiO2, ktorý znemožňuje realizovať fotoloitografické postupy

c) schopnosť tvorby oxidu SiO2, ktorý umožňuje realizovať fotoloitografické postupy

a) kyslík a platina

b) železo a kremík

c) zlato a striebro

a) dostatočná koncentrácia atómov

b) dostatočná hrúbka hradlovej vrstvy

c) čo najlepšia adhézia priechodu PN

a) indukcia nasýtenia Bs

b) remanentná indukcia Br

c) relatívna permeabilita µr

a) je nepriamoúmerný vzťah

b) je úmerný vzťah

c) nie je žiaden vzťah

a) vytváraniu teplotných alebo koncentračných nerovností

b) vyrovnaniu koncentrácií a/alebo teplôt

c) vzniku teplotných a koncentračných gradientov

a) priemernou kvantovou jednotkou magnetického momentu

b) najväčšou kvantovou jednotkou magnetického momentu

c) najmenšou kvantovou jednotkou magnetického momentu

a) teploty, napätia, frekvencie, permitivity a stratového činiteľa

b) teploty, hrúbky izolantu, vlhkosti, permitivity a stratového činiteľa

c) kapacity, vlhkosti, permitivity a stratového činiteľa

a) ohmický kontakt

b) vznikne PN prechod

c) antihradlová vrstva

a) elektrická indukcia poľa pri nulovej teplote okolitého prostredia

b) magnetická indukcia pri nulovej intenzite magnetického poľa po predchádzajúcej magnetizácii do nasýtenia

c) intenzita magnetického poľa, ktorá je potrebná, aby po predchádzajúcej magnetizácii do nasýtenia poklesla magnetická indukcia na nulovú hodnotu

a) nezávislý od napätia

b) s napätím lineárne rastie

c) s napätím lineárne klesá

a) je dostatočne tenká hradlová vrstva

b) ionizácia nosičov nábojov v priepustnom smere

c) je dostatočne hrubá hradlová vrstva

a) ~ 2,5

b) ~ 0

c) ~ 1

a) susceptibilita a koercivita

b) nasýtená magnetická polarizácia Js a Curieho teplota Tc

c) magnetická indukcia a permeabilita

a) v dôsledku nesprávneho použitia

b) nárastom relatívnej permeability

c) oteplením materiálu

a) Hc väčšie ako 1 500 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať

b) Hc menšie ako 800 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať

c) Hc menšie ako 800 A/m a možno ich ľahko zmagnetizovať aj odmagnetizovať

a) koncentrácia dier je rovná koncentrácii voľných elektrónov

b) koncentrácia voľných elektrónov je omnoho väčšia ako koncentrácia dier

c) koncentrácia dier je omnoho väčšia ako koncentrácia voľných elektrónov

a) vyžarovaniu elektrónov

b) vyžarovaniu iónov

c) vyžarovaniu EMG žiarenia

a) samostatná elektrická vodivosť

b) samostatná aj nesamostatná elektrická vodivosť

c) nesamostatná elektrická vodivosť

a) súvisí s viskozitou a teplotou

b) súvisí s frekvenciou a teplotou

c) nesúvisí s teplotou

a) konštrukciu kondenzátorov

b) konštrukciu transformátorov

c) konštrukciu kondenzátorov a cievok

a) šírka hradlovej vrstvy sa zmenšuje

b) tvar PN priechodu sa vychyľuje v smere vzniknutého magnetického poľa

c) šírka hradlovej vrstvy sa zväčšuje

a) hodnotí miera polarizácie dielektrika

b) posudzujú dielektrické straty izolantu

c) hodnotí schopnosť izolantu viesť elektrický prúd

a) konštanta úmernosti medzi elektrickým poľom E a vzdialenosťou elektród

b) konštanta úmernosti medzi napätím a kapacitou

c) konštanta úmernosti medzi elektrickým poľom E a indukovanou dielektrickou hustotou polarizácie P 

a) porucha kryštálovej mriežky, na ktorej mieste sa nachádzal atóm polovodiča

b) priestor, v ktorom sa nachádzal elektrón, neobsadenú kovalentnú väzbu

c) priestor, ktorý vznikne v okolí elektrónu, ktorý sa nachádza vo vodivostnom pásme

a) zmenší, obvodom prechádza veľký prúd tvorený iba menšinovými voľnými nosičmi náboja

b) zmenší, obvodom prechádzajú len majoritné nosiče náboja

c) zväčší, obvodom prechádza veľmi malý zvyškový prúd

a) len iónová polarizácia, typická pre kvapaliny

b) len elektrónová polarizácia

c) elektrónová i iónová polarizácia

a) rozdielu koncentrácie nosičov náboja vplyvom magnetického poľa

b) mikrovlnových kmitov pripojením jednosmerného napätia

c) elektrického napätia v dôsledku ožiarenia (osvetlenia)

a) nesamostatná elektrická vodivosť

b) samostatná elektrická vodivosť

c) samostatná aj nesamostatná elektrická vodivosť

a) relatívna permitivita

b) Jouleove straty

c) dielektrické straty

a) súčin elektrickej vodivosti a viskozity je približne konštantný

b) súčin viskozity a počtu polarizovaných častíc je približne konštantný

c) súčin viskozity a pohyblivosti je približne konštantný

a) iónovú implantáciu

b) zliatinovú technológiu

c) epitaxnú technológiu

a) relatívna permeabilita

b) relatívna permitivita

c) relatívna reaktancia

a) elektrónová a iónová relaxačná

b) elektrónová a spontánna

c) elektrónová a iónová pružná

a) kladné ióny, ktoré vzniknú tlejivým výbojom, bombardujú terčík a vyrážajú z neho atómy naprašovacieho materiálu

b) voľné elektróny urýchľované elektromagnetickým poľom vyrážajú materiál terčíka

c) epitaxia iónov naprašovaných na terčík

a) relaxačná

b) pružná

c) medzivrstvová 

a) rast vrstvy rovnakého zloženia ako substrát

b) výroba monokryštálov z kvapalnej aj tuhej fázy

c) rast vrstvy rozdielneho zloženia ako substrát

a) diery

b) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou

c) elektróny

a) v určitom intervale rastie

b) nemení sa

c) lineárne klesá

a) ióny disociáciou molekúl a nečistôt

b) nevznikajú ióny ani elektróny

c) ióny disociáciou vlastných molekúl

a) naparovanie a naprašovanie prímesí

b) elektromagnetické odlučovanie nečistôt z kvapalnej fázy

c) chemické a fyzikálne metódy čistenia

a) rozdielom koncentrácie prímesí v tuhej a kvapalnej fáze

b) pomerom koncentrácie prímesí v tuhej a kvapalnej fáze

c) súčinom koncentrácie prímesí v tuhej a kvapalnej fáze

a) lineárne rastúca

b) nezávisí od teploty

c) lineárne klesajúca

a) exponenciálne rastie

b) hyperbolicky klesá

c) lineárne klesá

a) polovodiča a izolantu

b) kovového a polovodičového materiálu

c) dvoch kovových materiálov

a) prvky mocenstvom nižším, ako mocenstvo základného polovodiča

b) prvky zo I. skupiny periodickej tabuľky prvkov

c) prvky mocenstvom vyšším, ako mocenstvo základného polovodiča

a) stacionárnym magnetovaním z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia

b) opačne orientovaným magnetickým poľom s intenzitou rovnajúcou sa intenzite koercitívneho poľa Hc

c) planárnou technológiou

a) k vodivosti samostatnej (ionizácia a uvoľnenie elektrónov)

b) k vodivosti nesamostatnej

c) k prierazu

a) epitaxnej a difúznej metódy

b) povrchovej a objemovej planárnej metódy

c) difúznej a zliatinovej metódy

a) F

b) bezrozmerná veličina

c) F/m

a) relaxačná

b) pružná

c) ionizačná 

a) vysoké napätie pri prechode prúdu

b) dostatočne hrubá hradlová vrstva

c) tenká hradlová vrstva

a) relaxačná

b) medzivrstvová (migračná)

c) pružná

a) medzivrstvová polarizácia

b) rezonančná polarizácia

c) elektrónová polarizácia

a) neobsahujú voľné nosiče náboja

b) obsahujú pomerne určité množstvo voľných nosičov náboja bez vplyvu na elektrickú vodivosť

c) obsahujú určité množstvo nosičov nábojov, preto majú merateľnú rezistivitu resp. konduktivitu

a) nepriamo úmerná veľkosti súčinu nábojov a nepriamo úmerná druhej mocnine vzdialenosti medzi nimi

b) nepriamo úmerná veľkosti súčinu nábojov a priamo úmerná druhej mocnine vzdialenosti medzi nimi

c) priamo úmerná veľkosti súčinu nábojov a nepriamo úmerná druhej mocnine vzdialenosti medzi nimi

a) k vodivosti vplyvom disociácie nečistôt

b) k vodivosti samostatnej (ionizácia a uvoľnenie elektrónov)

c) k vodivosti nesamostatnej

a) teplota, pri ktorej sú všetky prímesi ionizované

b) teplota, pri ktorej dochádza k prudkému zníženiu vodivosti polovodiča

c) teplota, pri ktorej sa začínajú na vodivosti podieľať aj lokalizované elektróny a diery vlastného polovodiča

a) rastie, lebo rastie pohyblivosť a exponenciálne narastá koncentrácia

b) rastie, lebo sa zvyšuje viskozita a stupeň disociácie častíc

c) klesá, lebo častejšie dochádza k zrážkam voľných nosičov nábojov

a) lineárne rastúca

b) nezávisí od frekvencie

c) nelineárne rastúca

a) spontánnej polarizácie

b) elektrického poľa

c) pohyblivosti nosičov náboja

a) stúpa

b) nemení sa

c) klesá

a) jav závislosti elektrického napätia polovodiča s priechodom PN od polarity vonkajšieho zdroja napätia pripojeného k polovodiču

b) jav závislosti elektrického prúdu v polovodiči s priechodom PN od polarity vonkajšieho zdroja napätia pripojeného k polovodiču

c) jav závislosti elektrického odporu polovodiča s priechodom PN od polarity vonkajšieho zdroja napätia pripojeného k polovodiču

a) spôsob polarizácie dielektrík

b) zmenu viskozity kvapalného dielektrika

c) teplotu fázového prechodu vo feroelektrikách

a) lineárne klesá

b) nemení sa

c) lineárne rastie

a) neobsahuje žiadne voľné nosiče náboja, a teda je dokonale nevodivý

b) obsahuje určité množstvo voľného náboja, a je teda má konštantnú zvyškovú vodivosť

c) obsahuje určité množstvo voľného náboja, avšak pre nízku koncentráciu prispieva k vodivosti zanedbateľnou mierou

a) od súčinu tlaku plynu a vzdialenosti medzi elektródami

b) od súčinu frekvencie a vzdialenosti medzi elektródami

c) od vlhkosti a teploty

a) relaxačná

b) pružná

c) rezonančná

a) vodivostné

b) vodivostné a polarizačné

c) ionizačné

a) elektrickou vodivosťou dielektrika

b) vysokými frekvenciami

c) rôznymi druhmi polarizácií

a) magnetostrikcia v polovodiči, ak v ňom existuje teplotný gradient

b) vznik termomagnetického poľa v polovodičoch

c) vznik termoelektrického napätia v látke, pozdĺž ktorej existuje teplotný gradient

a) nelineárna

b) bez výrazných zmien

c) lineárne rastúca

a) epitaxiu z kvapalnej fázy

b) iónovú implantáciu

c) difúziu a legovanie

a) polarizovateľnosti

b) relatívnej permitivite

c) vodivosti

a) je makroskopická veličina charakterizujúca schopnosť viesť elektrický prúd u izolantu

b) závisí od magnetickej indukcie

c) vyjadruje schopnosť materiálu polarizovať sa

a) ak kladnú svorku zdroja pripojíme k polovodiču typu N a zápornú svorku k polovodiču typu P potom sa zväčší

b) ak kladnú svorku zdroja pripojíme k polovodiču typu P a zápornú svorku k polovodiču typu N potom sa zväčší

c) ak kladnú svorku zdroja pripojíme k polovodiču typu N a zápornú svorku k polovodiču typu P potom sa zmenší

a) iba majoritných nosičov náboja

b) majoritných a minoritných nosičov náboja

c) iba minoritných nosičov náboja

a) od napätia pre tuhý izolant obsahujúci dutinky

b) na teplote pre kvapalný izolant

c) na teplote pre tuhý izolant

a) atómoch elektróny

b) molekulách elektróny

c) atómoch ióny

a) k realizácii polovodičových chladiacich článkov

b) priamu premenu tepelnej energie na elektrickú

c) meranie intenzity magnetického poľa

a) v inertnom vákuu

b) vo vysokom vákuu

c) v inertnej atmosfére

a) prechádza

b) rastie, ak rastie napätie

c) neprechádza

a) posúdenie kvality izolácie elektrických strojov

b) posúdenie úrovne ionizácie kvapalného izolantu

c) posúdenie elektrickej pevnosti vzduchu

a) stúpa

b) nemení sa

c) klesá

a) dvoj- a viaczložkové polovodiče

b) vlastné polovodiče

c) prímesové polovodiče

a) V-A charakteristiky PN priechodu

b) časovej závislosti striedavého napätia

c) časovej závislosti jednosmerného prúdu

a) zníženia teploty

b) zníženia viskozity

c) zvýšenia tlaku

a) cez bariéru prechádzajú obidva typy nosičov nábojov

b) že je unipolárny

c) že je bipolárny

a) proces zániku voľných nosičov náboja

b) proces vzniku voľných nosičov náboja

c) proces pri ktorom dochádza k uzavretiu elektrónovej štruktúry polovodiča

a) dotovaním

b) ťahaním z kelímka

c) pásmovým tavením

a) elektróny a kladné diery

b) elektróny

c) kladné diery

a) iba majoritné nosiče náboja

b) majoritné a minoritné nosiče náboja

c) iba minoritné nosiče náboja

a) jeden priechod PN

b) tri priechody PN

c) dva priechody PN

a) sprevádzaná vyžiarením kvanta energie

b) stav, kedy dochádza k posunu kryštalografických rovín

c) sprevádzaná absorpciou žiarenia

a) pohlcovanie alebo vyžarovanie tepla na prechode dvoch rozdielnych polovodičov alebo polovodiča a kovu pretekanom prúdom

b) vznik termoelektrického napätia v látke pozdĺž ktorej existuje teplotný gradien

c) uvoľňovanie elektrónov z väzieb kryštálovej mriežky silným elektrickým poľom

a) vysoké, vysokú vodivosť

b) vysoké, nízku vodivosť

c) nízke, vysokú vodivosť

a) množstva voľných elektrónov

b) od výstupných prác elektrónov

c) od teploty

a) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou

b) elektróny

c) diery

a) pohyblivosť elektrónov je rovnaká ako pohyblivosť dier

b) pohyblivosť elektrónov je menšia ako pohyblivosť dier

c) pohyblivosť elektrónov môže byť aj vyše rádovo väčšia ako pohyblivosť dier

a) rovnakým smerom

b) smer závisí od typu polovodiča

c) opačným smerom

a) obvodom prechádza prúd zapríčinený pohybom majoritných nosičov náboja

b) obvodom prechádza veľmi malý prúd tvorený iba menšinovými voľnými nosičmi náboja

c) obvodom prechádza veľmi veľký prúd 

a) polovodiče typu N

b) vlastné polovodiče

c) polovodiče typu P

a) počtom prechodov zóny

b) použitím kyslíkovej atmosféry

c) rýchlosťou vyťahovania zárodku z taveniny

a) priamy

b) intrinzický

c) nepriamy

a) na priamu premenu tepelnej energie na elektrickú

b) na stabilizáciu prúdu

c) k realizácii polovodičových chladiacich článkov

a) vodivosť typu N

b) vodivosť typu PIN

c) dierová vodivosť

a) Boltzmannova konštanta

b) Seebeckov koeficient

c) Hallova konštanta

a) oblasť slabej ionizácie prímesí

b) oblasť úplnej ionizácie prímesí

c) oblasť vlastnej vodivosti polovodiča

a) tri priechody PN

b) dva priechody PN

c) jeden priechod PN

a) koncentrácia dier je rovná koncentrácii voľných elektrónov

b) koncentrácia dier je omnoho väčšia ako koncentrácia voľných elektrónov

c) koncentrácia voľných elektrónov je omnoho väčšia ako koncentrácia dier

a) vrstva bázy dostatočne hrubá

b) vrstva bázy dostatočne ten

c) vrstva kolektora dostatočne tenká

a) má rovnomernú koncentráciu prímesí

b) neobsahuje žiadne poruchy kryštálovej mriežky

c) je dotovaný prímesami

a) závislosť rezisitivity polovodičov od indukcie MG poľa kolmého na vektor prúdovej hustoty

b) závislosť rezisitivity polovodičov od teploty

c) závislosť rezisitivity polovodičov od prúdovej hustoty

a) argónová alebo vákuová atmosféra

b) kyslíková alebo dusíková atmosféra

c) chlórová alebo vodíková atmosféra

a) vo vyťahovaní zárodku monokryštálu z taveniny

b) v pohybe roztavenej zóny pozdĺž ingotu jedným smerom

c) v bombardovaní monokryštálu vysokoenergetickými časticami

a) absorpciu energie dopadajúceho žiarenia voľnými nosičmi náboja kryštálu polovodiča

b) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich voľných nosičov náboja

c) uvoľnenie elektrónov látky z valenčného do vodivostného pásma v dôsledku jej ožiarenia

a) zatavenie dotovacieho materiálu na polovodičovej platničke, čím vznikne PN priechod

b) vytváranie tenkých vrstiev odparovaním vyhrievaného materiálu vo vysokom vákuu

c) dodávanie iónov, ktoré sú potrebné na rozprašovanie terčíkového materiálu z iónového zdroja

a) majoritné nosiče náboja

b) minoritné nosiče náboja

c) kladné a záporné Ióny

a) vyrovnaniu merných hmotností

b) vyrovnaniu koncentrácií a/alebo teplôt

c) zmene hustoty bázového prúdu a zosilneniu

a) väčšina prímesí ostáva v kvapalnej fáze

b) prímesi v monokryštále polovodiča sa vo vzorke rozdelia homogénne

c) koniec vzorky čistejší ako jeho ostatná časť

a) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich voľných nosičov náboja – alebo toto

b) absorpciu energie dopadajúceho žiarenia voľnými nosičmi náboja kryštálu polovodiča

c) výstup elektrónov z látky v dôsledku jej ožiarenia

a) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich voľných nosičov náboja

b) uvoľňovanie nosičov náboja pohltením energetického kvanta dopadajúceho žiarenia

c) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich viazaných nosičov náboja

a) fyzikálna metóda depozície tenkých vrstiev

b) fyzikálna metóda depozície polymérnych vrstiev

c) fyzikálna metóda depozície hrubých vrstiev

a) čo najväčších monokryštálov s izotópnou kryštalografickou orientáciou

b) čo najväčších monokryštálov s maximálnou čistotou bez porúch s definovanou kryštalografickou orientáciou

c) čo najmenšej zrnitosti materiálu, ktorá sa však dosahuje len použitím veľmi nízkych teplôt 

a) skracujú

b) neovplyvňujú

c) predlžujú

a) sa stávajú minoritnými nosičmi a pohybujú sa ku kolektoru prevážne difúziou

b) sa stávajú majoritnými nosičmi a pohybujú sa ku kolektoru prevážne driftovaním

c) vplyvom vysokého segregačného koeficientu začnú anihilovať s minoritnými nosičmi náboja

a) plynnej alebo kvapalnej fázy na monokryštálových podložkách

b) taveniny skla na monokryštálových podložkách

c) tuhej fázy na monokryštálových podložkách

a) možno ovládať vonkajším elektrickým poľom

b) nemožno ovládať tepelným prúdom

c) nemožno ovládať pretekajúcim prúdom

a) zárodok kryštálu rotuje, ale tavenina je bez pohybu

b) rotuje zárodok kryštálu v smere rotácie taveniny

c) rotuje zárodok kryštálu proti smeru rotácie taveniny

a) nie je nikdy vždy sprevádzaný driftovým prúdom

b) je vždy sprevádzaný ohmickým (driftovým) prúdom

c) je identický pojem ako driftový prúd

a) podtlaku

b) vysokom tlaku

c) atmosférickom tlaku

a) antihradlová vrstva // vytvorí sa usmerňujúci kontakt by malo byť správne

b) vznikne PN prechod

c) ohmický kontakt

a) v chlórovej atmosfére pri vysokom tlaku, a nízkom napätí a nízkej energii častíc

b) v inertnej atmosfére pri nízkom tlaku, vysokom napätí a vysokej energii častíc

c) v inertnej atmosfére pri vysokom tlaku vysokom napätí a vysokej energii častíc

a) vrstva zakázaných Fermiho energií

b) vrstva ochudobnená o voľné nosiče náboja  

c) vrstva obohatená o voľné nosiče náboja

a) intrinzickej atmosfére vlastného polovodiča

b) inertnej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou vo vákuovej alebo tlakovej nádobe

c) inertnej atmosfére s vysokou koncentráciou SiO2 

a) umiestnenie všetkých vývodov v jednej rovine

b) nízka cena použitej technológie

c) možnosť prenikania iónov cez vrstvu SiO2

a) wafle

b) buffre

c) wafre

a) intenzite elektrického poľa a stratového činiteľa dopujúcej látky

b) čistote a rovinnosti substrátu, ako aj na izolačných vlastnostiach

c) type, teplote a tlaku dopantov a na teplote substrátu

a) rýchlosť vztiahnutá na intenzitu elektrického poľa

b) pomer hmotnosti voľnýcvh nosičov náboja a náboja elektrónu

c) koeficient úmernosti medzi vonkajšou silou pôsobiacou na časticu a jej stredným zrýchlením 

a) vytváranie veľmi tenkých viaczložkových vrstiev naparovaním zväzkami atómov alebo molekúl pri veľmi vysokom tlaku pracovnej atmosféry

b) ultravákuové vytváranie veľmi tenkých viaczložkových vrstiev naparovaním zväzkami atómov alebo molekúl

c) depozícia vrstvy rozdielneho zloženia ako substrát

a) parazitný rast oxidu kremíka pri tvorbe polovodičových vrstiev

b) technológia vytvárania vrstvy natívneho oxidu kremíka

c) fyzikálna metóda depozície oxid-nitridových vrstiev

a) tunelovaním elektrónov

b) tunelovaním viazaných iónov

c) tunelovaním prímesových atómov 

a) možnosť plynulo meniť koncentráciu donorových alebo akceptorových prímesí

b) možnosť plynulo meniť hĺbku leptania materiálu polovodiča

c) vysoká rýchlosť vytvárania vysokočistých monokryštálov

a) rast monokryštalickej polovodičovej vrstvy na monokryštalickej podložke

b) spôsob odstraňovania vrstiev substraktívnou metódou

c) metóda výroby monokryštalických ingotov

a) pohyblivosť elektrónov

b) difúzne napatie

c) kontaktný potenciál 

a) blízkej 0°C

b) nad 273,15°C

c) podkritickej pre daný materiál 

a) Schrieferove páry

b) Bardeenove páry

c) Cooperove páry

a) vodiče a nevodiče

b) polovodivé, vodivé a supravodivé

c) vodiče, polovodiče a izolanty

a) (k >> 0)

b) (k < 0)

c) (k > 0) 

a) polovodičoch

b) izolantoch

c) vodičoch

a) µr < 1

b) µr > 1

c) µr ~ 0

a) magnetická susceptibilita, resp. relatívna permeabilita

b) relatívna permitivita

c) merná elektrická vodivosť

a) 50% vlhkosť

b) 70% vlhkosť

c) 60% vlhkosť 

a) v oblasti nárazovej ionizácie

b) v silných elektrických poliach

c) slabých elektrických poliach 

a) zmena vodivých vlastností telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa

b) zmena skupenstva telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa

c) zmena geometrických rozmerov telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa

a) feromagnetickými

b) paramagnetickými

c) diamagnetickými

a) zlato a striebro

b) hliník a platina

c) oxidy železa

a) jednosmerného i striedavého napätia

b) jednosmerného napätia

c) striedavého napätia v polárnych dielektrikách

a) Curieho - Weissov zákon

b) Fickov zákon

c) Faradayov zákon

a) frekvencie, kvality vyhotovenia napájacích obvodov a kontaktného odporu

b) teploty, frekvencie, kvality vyhotovenia napájacích obvodov

c) charakteru polarizačných procesov, teploty, frekvencie

a) sa dosahuje supravodivosť

b) dochádza k zmene magnetickej orientácie materiálu

c) sa magnetické materiály stávajú paramagnetickými 

a) výstupnej charakteristiky a krivky poslednej magnetizácie

b) zaťažovacej krivky a prechodovej charakteristiky

c) krivky prvotnej magnetizácie a hysteréznej slučky

a) Hc menšie ako 800 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať

b) Hc väčšia ako 1 500 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať

c) Hc menšie ako 1 500 A/m a možno ich ľahko zmagnetizovať aj odmagnetizovať

a) voľné ióny (kladné aj záporné) a voľné elektróny

b) iba voľné elektróny

c) voľné ióny (len záporné) a voľné elektróny

a) prístrojov pre meranie dielektrických strát izolantov, pričom polarizácia je iba nežiadúci jav v reálnych izolantoch

b) kondenzátorov

c) kondenzátorov a indukčných tlmiviek

a) zosilňuje

b) oslabuje

c) neovplyvňuje

a) iba vodivostné

b) vodivostné a polarizačné

c) iba polarizačné

a) diamagnetizmus

b) paramagnetizmus

c) spontánny magnetizmus 

a) k > 0

b) k = 0

c) k < 0 

a) oneskorovaním pohybu nosičov náboja prímesí za zmenami intenzity elektrického poľa

b) oneskorovaním pohybu voľných elektrických nábojov za zmenami intenzity elektrického poľa

c) oneskorovaním pohybu viazaných elektrických nábojov za zmenami intenzity elektrického poľa

a) remanencie na magnetizáciu paramagnetík

b) teploty na magnetizáciu paramagnetík

c) magnetickej indukcie na magnetizáciu paramagnetík

a) diamagnetické a paramagnetické

b) feromagnetické a ferimagnetické

c) feromagnetické a paramagnetické 

a) určenie stupňa polarizácie izolantu

b) posúdenie kvality izolácie elektrických strojov

c) stanovenie odolnosti voči ionizácii izolantu 

a) sa prejavuje zmenou dielektrických vlastností

b) sa spotrebuje na kompenzáciu polarizačných pochodov pri vlastnej rezonančnej frekvencii

c) sa za jednotku času premení na iný druh energie

a) feroelektrické a feromagnetické látky

b) nepolárne izolanty

c) diamagnetické látky

a) voľné elektróny vznikajúce disociáciou prímesí a nečistôt

b) voľné ióny, vznikajúce disociáciou, resp. aktiváciou častíc prímesí a nečistôt

c) voľné nosiče nábojov neexistujú 

a) dipólovom momente a relatívnej permitivite

b) dipólovom momente a objeme dielektrika

c) veľkosti elektrického poľa 

a) v dôsledku nesprávneho použitia

b) iba pri Curieho teplote

c) pri procese premagnetovania magnetických materiálov v striedavom poli

a) vodivostné a polarizačné dielektrické straty

b) iba vodivostné dielektrické straty

c) iba polarizačné dielektrické straty

a) hrubovrstvonej technológii

b) technológiam výroby keramických materiálov

c) planárnej technológii 

a) spontánna

b) pružná

c) relaxačná

a) hliník, chróm

b) kremík, germánium, meď

c) oxidy železa

a) v nepolárnych dielektrikách

b) v ionizovaných kvapalinách

c) v plynových dutinkách izolantov

a) epitaxiou

b) pásmovým tavením vo vákuu

c) pritisnutím polovodiča P na polovodič N v ochrannej atmosfére

a) hustotu elektrických dipólov

b) vplyv pôsobenia frekvencie

c) vplyv pôsobenia teploty 

a) elektronegatívne plynné izolanty

b) kvapalné a plynné izolanty

c) polárne kvapalné izolanty

a) izolant a dielektrikum sú rovnaké označenia toho istého materiálu

b) každé dielektrikum je súčasne izolantom, avšak nie každý izolant je dielektrikom

c) každý izolant je súčasne dielektrikom, avšak nie každé dielektrikum je izolantom

a) izoláciu vodivých častí

b) realizáciu dielektrík kondenzátorov

c) kompenzáciu dielektrických strát

a) v smere elektrického poľa

b) nezáleží na smere elektrického poľa, nakoľko viazaný kladný náboj ostáva v stabilnej polohe

c) proti smeru elektrického poľa

a) elektrónová

b) elektrónová a dipólová

c) spontánna

a) elektrónová pružná polarizácia

b) doménová štruktúra

c) iónová relaxačná štruktúra 

a) polarizačná dielektrické straty

b) tepelné straty

c) vodivostné dielektrické straty

a) výskytom elektrónov

b) elektrickou vodivosťou dielektrika

c) polarizáciou dielektrika 

a) nezmáčavý povrch

b) zmáčavý povrch

c) povrch nevodivý

a) chemicky nestabilné

b) chemicky najreaktívnejšie

c) chemicky inertné

a) diery

b) elektróny

c) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou

a) klesá

b) nemení sa

c) stúpa

a) koncentrácii minoritných nosičov náboja

b) koncentrácii majoritných nosičov náboja

c) kryštalografickej orientácii a hrúbke základového polovodiča 

a) usmernenie signálu

b) uchovávanie elektrickej energie

c) zosilnenie signálu 

a) elektróny sa pohybujú z N do P a diery z P do N

b) elektróny sa pohybujú z P do N a diery z N do P

c) elektróny sa pohybujú z N do P a diery z N do P

a) usmerňujúci jav na PN priechode, keď je pripojené jednosmerné napätie

b) usmerňujúci jav na PN priechode, keď je pripojené striedavé napätie

c) usmerňujúci jav na P alebo N polovodiči, kedy je napätie usmernené do jedného smeru

a) schopnosť klásť veľký odpor elektrickému prúdu

b) schopnosť klásť veľký odpor elektrickému prúdu a magnetickému poľu

c) schopnosť indukovať magnetické pole 

a) k zániku doménovej štruktúry

b) k zániku elektrónových dipólov

c) k neutralizácii elektrických nábojov

a) pod zakázaným pásmom

b) pod valenčným pásmom

c) nad zakázaným pásmom

a) polarizáciou - ionizacnou aj polarizacnou zlozkou

b) výskytom elektrónov

c) výskytom iónov

a) v závernom smere

b) v priepustnom smere

c) v móde lavínového prierazu

a) vznikom Hallovho napätia na vodiči v smere toku prúdu

b) vytvorením magnetickej indukcie v smere toku prúdu

c) vznikom Hallovho napätia na vodiči v smere kolmom na smer prúdu a smer magnetického poľa, do ktorého je vodič vložený 

a) nie sú vhodné pre vysoké frekvencie

b) sú vhodné pre všestranné použitie z pohľadu frekvencie

c) sú vhodné pre vysoké frekvencie 

a) striedavé napätie

b) k polovodiču typu N záporný pól zdroja a k polovodiču typu P kladný pól zdroja

c) k polovodiču typu P záporný pól zdroja a k polovodiču typu N kladný pól zdroja

a) dipólovými doménami

b) doménami

c) nábojmi 

a) rýchleho priebehu

b) bezstratová

c) pomalého priebehu

a) po dosiahnutie Curieho teploty lineárne klesá

b) lineárne klesá

c) najprv stúpa a po dosiahnutí Curieho teploty klesá

a) diery

b) voľné ióny

c) elektróny

a) súčtom činnej a jalovej zložky prúdu

b) rozdielom činnej a jalovej zložky prúdu

c) pomerom činnej a jalovej zložky prúdu 

a) Fickovymi zákonmi

b) Schrödingerovou rovnicou

c) Ohmovym zákonom

a) je bezstratová

b) je stratová

c) nezávisí na teplote 

a) k polovodiču typu N záporný pól zdroja a k polovodiču typu P kladný pól zdroja

b) k polovodiču typu P záporný pól zdroja a k polovodiču typu N kladný pól zdroja

c) striedavé napätie 

a) stabilizáciu napätia

b) zosilňovanie signálov

c) usmerňovanie striedavého napätia 

a) kladne, ak ich vodivosť je menšia ako vodivosť kvapalného izolantu

b) záporne, ak ich vodivosť je väčšia ako vodivosť kvapalného izolantu

c) kladne, ak ich permitivita je väčšia ako permitivita kvapalného izolantu 

a) teplota, pri ktorej sa začínajú na vodivosti podieľať aj lokalizované elektróny a diery vlastného polovodiča

b) teplota, pri ktorej dochádza k prudkému zníženiu vodivosti polovodiča

c) teplota pri, ktorej sú všetky prímesi ionizované

a) polovodiče typu P

b) vlastné polovodiče

c) polovodiče typu N

a) nízkym napätím

b) dostatočne úzkou hradlovou vrstvou

c) vysokou teplotou 

a) rovnomerným rozložením náboja vplyvom pôsobenia magnetického poľa

b) nerovnomerným rozložením náboja vplyvom pôsobenia magnetického poľa

c) teplotným gradientom vplyvom pôsobenia magnetického poľa

a) polovodiča s kovom

b) kovu a dielektrika

c) polovodiča a dielektrika

a) iba u polárnych dielektrík

b) iba u feroelektrík

c) u všetkých dielektrík 

a) z 1 PN priechodu

b) z 3 PN priechodov

c) z 2 PN priechodov 

a) vakancia v štruktúre polovodiča

b) uzlový bod v kryštálovej mriežke, kde sa nachádza prímesový atóm

c) neobsadený stav elektrónom v čiastočne zaplnenom valenčnom pásme polovodiča

a) v priepustnom smere

b) na smere zapojenia nezáleží, nakoľko súčiastka má 2 PN priechody

c) v závernom smere

a) ionizované akceptory alebo ionizované donory

b) ionizované dipóly

c) prevažne elektróny, resp. diery vlastného polovodiča 

a) vytvorenie prvkov a ich vývodov v jednej rovine

b) možnosť umiestnenia puzdier BGA

c) použitie technológie CoB (Chip on Board

a) dodávanie iónov, ktoré sú potrebné na rozprašovanie terčíkového materiálu z iónového zdroja

b) zatavenie dotovacieho materiálu na polovodičovej platničke, čím vznikne PN priechod

c) vysokoteplotnú aplikáciu atómov na selektovaný povrch substrátu v plynnom, kvapalnom alebo pevnom skupenstve

a) vytváranie monokryštalických ingotov presného zloženia

b) mimoriadne presné ovládanie hustoty a zloženia prúdu atómov, resp. molekúl

c) technologicky nenáročné vytváranie objemových monokryštálov

a) pružná

b) migračná

c) relaxačná 

a) vodivostné a polarizačné

b) ionizačné

c) len vodivostné

a) elektróny

b) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou

c) diery 

a) ohmický kontakt

b) antihradlová vrstva

c) vznikne PN prechod 

a) pôsobí ako eliminátor porúch kryštálovej mriežky v polovodiči

b) odovzdáva elektrón

c) prijíma elektrón 

a) môže disociovať na ióny v malej miere

b) nemôže disociovať na ióny

c) obsahuje voľné nosiče nábojov

a) diódy

b) rezistory

c) tranzistory

a) antihradlová vrstva

b) ohmický kontakt

c) vznikne PN prechod

a) je usmerňujúci jav na PN priechode,

b) je termomagnetický jav v polovodičoch

c) zosilňujúci jav v polovodičoch

a) vznik termoelektrického napätia v látke pozdĺž ktorej existuje teplotný gradient

b) pohlcovanie alebo vyžarovanie tepla na prechode dvoch rozdielnych polovodičov alebo polovodiča a kovu pretekanom prúdom

c) uvoľňovanie elektrónov z väzieb kryštálovej mriežky silným elektrickým poľom

a) protismerná

b) zhodná

c) nezávislá

a) vodivým spojením dvoch rozličných kovov

b) pripojením zdroja elektrického napätia na PN priechod

c) vodivým spojením dvoch materiálov s rovnakými Seebeckovymi koeficientmi

a) ingot

b) wafer

c) whisker

a) šírka hradlovej vrstvy sa zmenšuje

b) šírka hradlovej vrstvy sa zväčšuje

c) tvar PN priechodu sa vychyľuje v smere vzniknutého magnetického poľa

a) pomer koncentrácie nosičov náboja a intenzity elektrického poľa

b) pomer rýchlosti a elektrickej intenzity

c) súčin akceptorovej energie a efektívnej hmotnosti nosičov náboja

a) technický kyslík v komore s taveninou

b) vodné roztoky daného polovodičového materiálu

c) inertné plyny alebo vákuum v komore s taveninou

a) konštrukciu rezistorov

b) konštrukciu transformátorov

c) konštrukciu kondenzátorov

a) rast vrstvy rozdielného zloženia ako substrát

b) rast vrstvy rovnakého zloženia ako substrát

c) výroba monokryštálov z kvapalnej aj tuhej fázy 

a) že je to najjednoduchšia metóda prípravy PN priechodov

b) že všetky kontakty sú na jednej rovine

c) že je fotolitografický proces 

a) elektróny aj diery navzájom rekombinujú v hradlovej oblasti, čím dochádza k nárastu celkového prúdu

b) elektróny z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P a zároveň diery z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N

c) elektróny z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N a zároveň diery z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P

a) z 5. skupiny

b) zo 4. skupiny

c) z 3. skupiny

a) oba PN priechody sa zapájajú závernom smere smere

b) jeden PN priechod sa zapája v smere priepustnom, druhý v smere závernom

c) oba PN priechody sa zapájajú v priepustnom smere

a) varikapy

b) tranzistory

c) termočlánky

a) podkritická šírka hradlovej vrstvy

b) minimálna driftová rýchlosť nosičov náboja

c) minimálna pohyblivosť nosičov náboja

a) zónovou tavbou

b) Czochralského metódou

c) epitaxnou technológiou

a) elektróny z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P, a zároveň diery z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N

b) elektróny aj diery navzájom rekombinujú v hradlovej oblasti, čím dochádza k nárastu celkového prúdu

c) elektróny z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N, a zároveň diery z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P 

a) Bridgemanova metóda

b) zónová rafinácia

c) Czochralského metóda

a) nedochádza k zmene supravodivého stavu

b) k magnetickej levitácii supravodiča

c) k strate supravodivých vlastností