Презентація "Формфактори модулів пам'яті"

Про матеріал
Презентація для ознайомлення з основними формфакторами модулів внутрішньої пам'яті.
Зміст слайдів
Номер слайду 1

Характеристики пам'яті

Номер слайду 2

Внутрішня пам'ять комп’ютера. Форм-фактори модулів пам'ятіDIP (Dual In-line Package). Це типова мікросхема з двома рядами ніжок з боків. Раніше, поки не існувало SIMM, половина поверхні материнської плати була покрита такими мікросхемами, які становили цілий мегабайт оперативної пам'яті. Можливості додавання пам'яті при цьому виявлялися досить обмеженими. Модуль пам'яті DIP

Номер слайду 3

Форм- фактори модулів пам'ятіSIMM (Single In-line Memory Module) – один з перших модулів пам'яті з однорядним розташуванням мікросхем (рис. 7.2). Це модуль пам'яті використовується також у багатьох адаптерах, принтерах і інших пристроях. SIMM має контакти з двох сторін модуля, але усі вони з'єднані між собою, утворюючи один ряд контактів. Модулі цього типу мають два основних розміру (30 і 72 pin) і підключаються, відповідно, в гнізда різних розмірів. Зараз модулі SIMM є технологією вчорашнього дня, чий час пройшло ще на початку 90-х. Модуль пам'яті SIMM

Номер слайду 4

Форм-фактори модулів пам'ятіМодуль пам'яті DIMM (Dual In-line Memory Module) – подвійний модуль пам'яті, схожий на SIMM, але з роздільними контактами, розташованими з 2-ох сторін (рис. 7.3). Маючи більший обсяг пам'яті, вони коштували дорожче і підключалися до спеціальних гнізд, забезпеченим маленькими затисками. Модуль DIMM створений для задоволення зрослих потреб у додаткових обсягах пам'яті більш потужних процесорів Pentium і AMD. Плата пам'яті, подібна за внутрішньою архітектурою з SIMM, але відрізняється від неї більш широкої шиною, завдяки якій досягається підвищення швидкості обміну даних. Модуль пам'яті DIMM

Номер слайду 5

Форм-фактори модулів пам'ятіМодуль пам'яті RIMM (Rambus Dynamic Random Access Memory) – модуль, що використовує чіп динамічної пам'яті Rambus (рис. 7.4). Компанія Rambus, Inc. в кінці 90-х створила надшвидкі і супердорогі модулі оперативної пам'яті, які були покриті захисними пластиковими пластинами. Вимоги до модуля описані дуже жорстко і детально (наприклад, число установок модуля в один і той же роз'єм обмежена 20). Для модуля передбачений власний тепловідвід. Модуль пам'яті RIMM

Номер слайду 6

Форм-фактори модулів пам'ятіDDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — SDRAM з подвоєною швидкістю обміну даними - новий вид пам’яті. Пропускна спроможність DDR SDRAM у два рази вища за звичайну. Цей вид пам’яті іноді називається SDRAM II. DDR - абревіатура, що говорить про подвійну швидкість передачі даних. Раніше широко застосовувалася пам'ять SDR (Single Data Rate), яка за один такт передає рівно одну порцію інформації. DDR встигає зробити удвічі більше, оскільки пересилає дані двічі - по обох фронтах тактового імпульсу. Прискорення передачі у пам'яті DDR2 відносно DDR пов'язане з підвищенням тактової частоти буферів вводу-виводу і існує в умовах мультиплексування. Тобто контролер-мультиплексор прочитує дані відразу з 4 банків пам'яті. Таким чином, в модулях DDR2 SDRAM в порівнянні з DDR SDRAM застосована технологія збільшення продуктивності за рахунок підвищення тактової частоти при збереженні робочих частот самих мікросхем і тієї ж розрядності шини даних. Модуль пам'яті DDR SDRAM

Номер слайду 7

Дякую за увагу!

pptx
Додано
30 серпня 2019
Переглядів
904
Оцінка розробки
Відгуки відсутні
Безкоштовний сертифікат
про публікацію авторської розробки
Щоб отримати, додайте розробку

Додати розробку