Презентація "Електричний струм у напівпровідниках"

Про матеріал

Розглянуто особливості проходження електричного струму у напівпровідниках з основами зонної теорії твердих тіл та будову,роботу і використання напівпровідникових приладів.

Перегляд файлу

Попередній слайд 1 / 40 Наступний слайд

Зміст слайдів

Номер слайду 1

Фізиканапівпровідників

Номер слайду 2

Тема: ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ У НАПІВПРОВІДНИКАХПлан. Основи зонної теорії твердих тіл. Власна провідність напівпровідників. Домішкова провідність напівпровідників. Утворення p-n – переходу. Напівпровідникові прилади. Терморезистор. Фоторезистор. Діоди ТранзисториІнтегральні мікросхеми. Мета: Ознайомитись із основними поняттями зонної теорії твердих тіл, розглянути особливості проходження електричного струму у напівпровідниках, вивчити будову та принцип роботи напівпровідникових приладів

Номер слайду 3

Основи зонної теорії твердих тіл. Енергія (е. В)Валентна зона. Зона провідностіЗаборонена зонаΔЕ –ширина забороненої зони

Номер слайду 4

Метали. Напівпровідники. ДіелектрикиΔЕ=0ΔЕ<~3е. ВΔЕ>~3е. В

Номер слайду 5

Номер слайду 6

Власна провідність напівпровідників. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. T~ 0 KT~300 KВільний електрон. Дірка-++

Номер слайду 7

Зона провідностіВалентна зона. Заборонена зона

Номер слайду 8

Діркова провідність+-

Номер слайду 9

Домішкова провідність(донорні домішки)Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. ДGe. Ge. Ge. Ge. Ge. Вільний електрон+Напівпровідники з переважаючою електронною провідністю називають напівпровідниками n – типу.

Номер слайду 10

Зона провідностіВалентна зона. Заборонена зона. Донорні рівні

Номер слайду 11

Домішкова провідність(акцепторні домішки)Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. АGe. Ge. Ge. Ge-Ge. Дірка. Напівпровідники з переважаючою дірковою провідністю називають напівпровідниками p – типу.