Презентація "Електричний струм у напівпровідниках"

Про матеріал
Розглянуто особливості проходження електричного струму у напівпровідниках з основами зонної теорії твердих тіл та будову,роботу і використання напівпровідникових приладів.
Зміст слайдів
Номер слайду 1

Фізиканапівпровідників

Номер слайду 2

Тема: ЕЛЕКТРИЧНИЙ СТРУМ У НАПІВПРОВІДНИКАХПлан. Основи зонної теорії твердих тіл. Власна провідність напівпровідників. Домішкова провідність напівпровідників. Утворення p-n – переходу. Напівпровідникові прилади. Терморезистор. Фоторезистор. Діоди ТранзисториІнтегральні мікросхеми. Мета: Ознайомитись із основними поняттями зонної теорії твердих тіл, розглянути особливості проходження електричного струму у напівпровідниках, вивчити будову та принцип роботи напівпровідникових приладів

Номер слайду 3

Основи зонної теорії твердих тіл. Енергія (е. В)Валентна зона. Зона провідностіЗаборонена зонаΔЕ –ширина забороненої зони

Номер слайду 4

Метали. Напівпровідники. ДіелектрикиΔЕ=0ΔЕ<~3е. ВΔЕ>~3е. В

Номер слайду 5

Номер слайду 6

Власна провідність напівпровідників. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. T~ 0 KT~300 KВільний електрон. Дірка-++

Номер слайду 7

Зона провідностіВалентна зона. Заборонена зона

Номер слайду 8

Діркова провідність+-

Номер слайду 9

Домішкова провідність(донорні домішки)Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. ДGe. Ge. Ge. Ge. Ge. Вільний електрон+Напівпровідники з переважаючою електронною провідністю називають напівпровідниками n – типу.

Номер слайду 10

Зона провідностіВалентна зона. Заборонена зона. Донорні рівні

Номер слайду 11

Домішкова провідність(акцепторні домішки)Ge. Ge. Ge. Ge. Ge. АGe. Ge. Ge. Ge-Ge. Дірка. Напівпровідники з переважаючою дірковою провідністю називають напівпровідниками p – типу.

Номер слайду 12

Зона провідностіВалентна зона. Заборонена зона. Акцепторні рівні

Номер слайду 13

Утворення p-n - переходуpn+-+++---𝐸вн ------------++++++++++++

Номер слайду 14

pn

Номер слайду 15

Напівпровідникові прилади

Номер слайду 16

Терморезистор (термістор)

Номер слайду 17

Фоторезистор

Номер слайду 18

np. Напівпровідниковий діод. Iпрямий𝑬зовн 𝐸вн Основні носії

Номер слайду 19

pn-+Основні носіїIпрямий

Номер слайду 20

np. Напівпровідниковий діод. Iзворотній𝑬зовн Неосновні носії𝐸вн 

Номер слайду 21

pn-+Неосновні носіїIзворотній

Номер слайду 22

B A X напівпровідникового діода. UIПряме включення. Зворотнє включення. Пробій

Номер слайду 23

Випрямні діоди

Номер слайду 24

Варикапи

Номер слайду 25

Стабілітрони

Номер слайду 26

Фотодіоди та фотоелементиnp𝐸вн +++++-----

Номер слайду 27

Фотодіод та фотоелемент

Номер слайду 28

Світлодіоди

Номер слайду 29

Лазерні діоди

Номер слайду 30

ppn. Біполярний транзистор. Емітер (Е)База (B) Колектор (C) Емітерний перехід. Колекторний перехід

Номер слайду 31

pnp

Номер слайду 32

pnp+-+-

Номер слайду 33

Біполярний транзистор

Номер слайду 34

Польовий транзистор. Витік Стік Затвор

Номер слайду 35

Польовий транзистор

Номер слайду 36

Інтегральні мікросхеми

Номер слайду 37

Інтегральні мікросхеми

Номер слайду 38

Інтегральні мікросхеми

Номер слайду 39

Інтегральні мікросхеми

Номер слайду 40

Дякуюзаувагу!

Середня оцінка розробки
Структурованість
5.0
Оригінальність викладу
5.0
Відповідність темі
5.0
Загальна:
5.0
Всього відгуків: 1
Оцінки та відгуки
  1. Рохманова Людмила Федорівна
    Загальна:
    5.0
    Структурованість
    5.0
    Оригінальність викладу
    5.0
    Відповідність темі
    5.0
pptx
Пов’язані теми
Фізика, Матеріали до уроків
Додано
7 квітня 2020
Переглядів
2216
Оцінка розробки
5.0 (1 відгук)
Безкоштовний сертифікат
про публікацію авторської розробки
Щоб отримати, додайте розробку

Додати розробку